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申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司
摘要：本发明公开了一种具有窄型STI的LDMOS及制备方法，该LDMOS包括：窄型STI；窄型STI位于第一处的横截面的面积比位于第二处的横截面的面积小。本发明在LDMOS的OD层上进行布局设计，使得LDMOS漏极侧形成窄型STI结构，在窄型STI的第一处保持击穿性能，在窄型STI的第二处减小了源极到漏极的电子流动路径，解决了使用STI漏极扩展MOS提高击穿电压导致导通电阻大幅增加的技术问题，本发明的LDMOS器件在维持使用传统STI漏极扩展MOS所带来的高击穿电压的基础上，有效地改善了导通电阻。
主权项：1.一种具有窄型STI的LDMOS，其特征在于，包括：窄型STI；窄型STI位于第一处的横截面的面积比位于第二处的横截面的面积大。
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权利要求：
百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种具有窄型STI的LDMOS及制备方法
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