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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2023-03-30
公开（公告）日：2023-07-04
公开（公告）号：CN116390487A
主分类号：H10B41/30
分类号：H10B41/30
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.07.21#实质审查的生效;2023.07.04#公开
摘要：本发明提供一种ETOXNOR型闪存器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供包含存储区域和逻辑区域的衬底，存储区域的衬底上形成有栅氧化层、浮栅层、ONO介质层和控制栅层以及第一沟槽和第二沟槽；形成第一介质层；形成第二介质层；刻蚀去除存储区域的第一沟槽底壁、侧壁上的部分第二介质层以在第一沟槽中得到第一侧墙；对存储区域进行离子注入工艺以在第一沟槽底部的衬底中形成第一源漏掺杂区。本申请通过沉积第一介质层和第二介质层以将第二沟槽填满，并减薄第二介质层以在第一沟槽中得到第一侧墙，本申请工艺简单，省去传统制备工艺中的侧墙结构中的另外两层介质层淀积及相应的去除步骤，降低了生产成本，缩短了器件制备周期。
主权项：1.一种ETOXNOR型闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包含存储区域和逻辑区域，其中，所述存储区域的衬底上形成有栅氧化层、浮栅层、ONO介质层和控制栅层，所述控制栅层、所述ONO介质层和所述浮栅层中形成有交错分布的第一沟槽和第二沟槽；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述控制栅层、所述第一沟槽的侧壁、底壁和所述第二沟槽的侧壁、底壁以及覆盖所述逻辑区域的半导体结构；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层、所述第一沟槽的侧壁、底壁以及填充所述第二沟槽；刻蚀去除所述存储区域的所述控制栅顶端的所述第二介质层、所述第一沟槽底壁、侧壁上的部分所述第二介质层和所述第二沟槽顶端的部分所述第二介质层，以在所述第一沟槽中得到第一侧墙；对所述存储区域进行离子注入工艺以在所述第一沟槽底部的衬底中形成第一源漏掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 ETOX NOR型闪存器件及其制备方法
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