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申请/专利权人：本源科仪(成都)科技有限公司
摘要：本申请提供一种能带结构模型修正方法、装置、TCAD仿真方法及系统、介质及设备，能够解决相关技术中传统TCAD仿真系统在极低温条件下进行器件仿真的结果会与实际情况不符的问题，可以提高仿真的准确性。该方法包括：获取器件在极低温下的实测电子密度；在TCAD仿真系统中修改能带结构模型中所述极低温下的能带宽度值；获取所述TCAD仿真系统中所述极低温下的仿真电子密度；判断所述仿真电子密度与所述实测电子密度是否一致；如果是，获取修正后的所述能带结构模型；如果否，返回在TCAD仿真系统中修改能带结构模型中所述极低温下的能带宽度值的步骤。
主权项：1.一种能带结构模型修正方法，其特征在于，所述方法包括：获取器件在极低温下的实测电子密度；在TCAD仿真系统中修改能带结构模型中所述极低温下的能带宽度值；基于修改后的所述能带宽度值和所述能带结构模型，获取所述TCAD仿真系统中所述极低温下的仿真电子密度；判断所述仿真电子密度与所述实测电子密度是否一致；如果是，基于所述仿真电子密度对应的所述能带宽度值，获取修正后的所述能带结构模型；如果否，返回在TCAD仿真系统中修改能带结构模型中所述极低温下的能带宽度值的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 本源科仪(成都)科技有限公司 能带结构模型修正方法、装置、TCAD仿真方法及系统、介质
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