买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：苏州珂晶达电子有限公司

摘要：本申请提供一种基于TCAD仿真的抽取单粒子瞬态脉冲波形方法，所述方法包括：利用TCAD仿真构建出具有特定结构的多晶体管；在所述TCAD仿真中，从不同位置向所述多晶体管发射高能粒子；获取入射到所述多晶体管的高能粒子集合；利用多指数模型对所述高能粒子集合中发生单粒子瞬态脉冲的高能粒子进行拟合，得到不同情况下高能粒子相对应瞬态脉冲波形的解析表达式。本申请通过上述方法，融入了晶体管所在版图信息，能够覆盖阱边界、阱接触、相邻晶体管的影响，采用多指数脉冲模型，相对双指数模型，对瞬态脉冲的描述更为精确，可以处理现有方法不能涉及的多瞬态脉冲问题，解决了现有方法在小尺寸工艺节点上的不适用问题。

主权项：1.一种基于TCAD仿真的抽取单粒子瞬态脉冲波形方法，其特征在于，所述方法包括：利用TCAD仿真构建出具有特定结构的多晶体管，包括，利用TCAD仿真，在多晶体管所在版图中建立对应长宽的N阱及P阱，以构建阱边界结构；根据所述版图获取多晶体管与阱接触之间的最大距离，以构建阱接触结构；根据所述版图构建相邻所述多晶体管的晶体管，以构建相邻晶体管结构；所述特定结构包括阱边界结构、阱接触结构、相邻晶体管结构、源漏外延结构和衬底结构；在所述TCAD仿真中，从不同位置向所述多晶体管发射高能粒子，发射的所述高能粒子的入射方向垂直于所述多晶体管，所述高能粒子在所述多晶体管上具有若干个入射位置，所述入射位置至少包括NMOS漏极中间点、POMS漏极中间点、相邻NMOS漏极中间点、相邻PMOS漏极中间点和PMOS、NMOS的漏极中心点，所述NMOS为N型晶体管，所述POMS为P型晶体管，所述NMOS和POMS的栅极具有重叠部位；获取入射到所述多晶体管的高能粒子集合，所述高能粒子集合包括高能粒子入射位置和高能粒子逻辑状态；利用多指数模型对所述高能粒子集合中发生单粒子瞬态脉冲的高能粒子进行拟合，得到不同情况下高能粒子相对应瞬态脉冲波形的解析表达式；当所述方法应用于FinFET工艺器件时，所述多指数模型为： ；式中，A1、B1、A2、B2、A3、B3、A4、B4、An+1和Bn+1均为正数，t为时间；当所述方法应用于传统平面体硅器件，所述多指数模型为： 。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州珂晶达电子有限公司 一种基于TCAD仿真的抽取单粒子瞬态脉冲波形方法