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摘要：本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：有源部、设置于半导体基板的第一导电型的漂移区、设置于所述漂移区的上方的第二导电型的基区、设置于所述半导体基板的上方的栅极焊盘、设置于所述半导体基板的上方的发射电极、在所述有源部中设置于所述半导体基板的正面的栅极沟槽部、以及用于将所述栅极焊盘与所述栅极沟槽部连接的栅极布线部，所述栅极布线部具有沿预先确定的方向延伸的第一栅极沟槽布线部、以及沿与所述第一栅极沟槽布线部不同的方向延伸并与所述第一栅极沟槽布线部在交叉部交叉的第二栅极沟槽布线部，所述发射电极设置于所述交叉部的上方。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：有源部；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于所述漂移区的上方；栅极焊盘，其设置于所述半导体基板的上方；发射电极，其设置于所述半导体基板的上方；栅极沟槽部，其在所述有源部中设置于所述半导体基板的正面；以及栅极布线部，其用于将所述栅极焊盘与所述栅极沟槽部连接，所述栅极布线部具有：第一栅极沟槽布线部，其沿预先确定的方向延伸；以及第二栅极沟槽布线部，其沿与所述第一栅极沟槽布线部的延伸方向不同的方向延伸，并与所述第一栅极沟槽布线部在交叉部交叉，所述发射电极设置于所述交叉部的上方。
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