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摘要：本发明公开一种化学气相沉积方法，在绝缘基底表面包覆导电薄膜，得到导电复合材料；采用导电复合材料作为生长基底，使得所述生长基底通电自发热至生长温度，沉积生长客体材料。本发明的方法通过在绝缘基底表面包覆导电薄膜，使其具备导电性能，从而实现后续的通电自发热。进一步的，通过对基底原位加热，使得仅基底表面温度高，可以减少前驱体例如碳源裂解副产物的污染提高客体材料的质量，同时可以实现在石英管中更高的升温速率400‑1400℃s、生长温度大于1100℃，提高客体材料的生长速率和结晶质量。本发明的方法直接对基底加热避免了间接加热导致的加热不均匀，显著提高客体材料的结晶质量。
主权项：1.一种化学气相沉积方法，其特征在于，在绝缘基底表面包覆导电薄膜，得到导电复合材料；采用导电复合材料作为生长基底，使得所述生长基底通电自发热至生长温度，沉积生长客体材料。
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