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摘要：本发明公开了一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法，该方法通过在P阱区与N‑外延之间设置一个轻掺杂的Pbuffer缓冲层，通过设置缓冲层可有效降低寄生体二极管正向导通时阳极注入效率，减小寄生体二极管反向恢复电荷。在漏极侧对应源极P+位置下设置高掺杂的p+型控制区，器件漏极区由N型和P+型区镶嵌组成，P+型区为理想欧姆接触，反向恢复过程中为空穴提供了通道，有效改善器件寄生体二极管开关特性。本发明制造方法可有效降低槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复电荷，改善器件寄生体二极管反向恢复特性。相比电子辐照本发明可靠性更高，可与现有槽栅VDMOS工艺相兼容。

主权项：1.一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法，其特征在于包括以下步骤：1选取N型硅外延片，硅外延片包括N+衬底和N-高阻层，N+衬底在N-高阻层下端；通过光刻、硼注入技术在硅外延片的正面形成Pbuffer缓冲层及P阱区；P阱区位于Pbuffer缓冲层上方，且Pbuffer缓冲层浓度低于P阱区浓度；2在步骤1硅外延片正面，通过光刻及刻蚀工艺形成栅极槽，在栅极槽的表面高温氧化生成栅氧化层，然后栅极槽回填磷掺杂的多晶硅，形成槽型多晶硅栅；3在步骤2后对外延片正面进行N+源区掩膜版光刻，通过砷注入及扩散推结工艺形成N+源区；对外延片正面进行P+掩膜版光刻，通过硼注入及扩散推结工艺形成源级P+区；4在步骤3后对外延片进行背面工艺，圆片减薄至200±10μm；在P+掩膜版光刻后通过硼注入及推结工艺形成p+型控制区；P+型控制区位于N+衬底内；P+型控制区位于源极P+区正下方；5在步骤4处理后的硅外延片正面淀积二氧化硅介质层，刻蚀二氧化硅形成接触孔，然后进行正面金属化、钝化、刻蚀PAD区，最后进行背面金属化工艺，完成VDMOS器件制造；所述步骤2形成的栅极槽的槽深为2μm～3μm，槽宽为0.5μm～1μm；所述步骤2中，栅氧化层的厚度为所述步骤1中，通过两次硼注入推结形成Pbuffer缓冲层及P阱区，Pbuffer缓冲层厚度为1μm～3μm；所述步骤4中进行背面工艺形成P+型控制区，P+型控制区宽度与源极P+区宽度一致，结深3μm～5μm；所述步骤5中，正面金属化指在刻蚀完接触孔的硅片上蒸发一层金属，这层金属通过接触孔与N+源区接触，形成源极金属，通过接触孔与步骤2中的多晶硅接触，形成栅极金属；所述步骤5中，背面金属化指在硅外延片背面蒸发一层金属，形成漏极金属。

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