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摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管阵列，包括：基底以及生长于基底上且呈矩阵排列的至少一个雪崩光电二极管元胞结构；雪崩光电二极管元胞结构包括：吸收区、雪崩区、行信号引出线、行信号处理集成电路、列信号引出线以及列信号处理集成电路。吸收区和雪崩区横向分布，同时雪崩区内的载流子雪崩为垂直运输，且吸收区与雪崩区的漂移区连通，利于光生载流子的运输和倍增；吸收区上加入第三电极金属区，精准控制吸收区内部电场，可抑制暗电流或暗计数，并扩展传感器的探测波段；吸收区的四周布置雪崩区，可通过对雪崩区的信号统计，进一步确定光子在吸收区内的入射位置，提高位置探测精度。
主权项：1.一种雪崩光电二极管阵列，包括：基底；其特征在于，还包括：生长于所述基底上且呈矩阵排列的至少一个雪崩光电二极管元胞结构；所述雪崩光电二极管元胞结构包括：吸收区以及雪崩区；所述吸收区包括：P型轻掺杂吸收区；所述雪崩区包括：P型轻掺杂漂移区以及位于所述P型轻掺杂漂移区顶部的P型雪崩发生区，所述P型轻掺杂吸收区位于所述P型轻掺杂漂移区的顶部，以使得所述P型轻掺杂吸收区与所述P型雪崩发生区为横向分布，且所述P型轻掺杂吸收区与所述P型轻掺杂漂移区为垂向分布，N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型金属电极区以及P型电极金属；所述N型重掺杂区位于所述P型雪崩发生区的顶部，所述N型金属电极区位于所述N型重掺杂区的顶部；所述第一P型重掺杂区位于所述P型轻掺杂漂移区的底部，所述P型电极金属位于所述第一P型重掺杂区的底部；其中所述吸收区还包括：第二P型重掺杂区以及第三电极金属区；所述第三电极金属区、所述第二P型重掺杂区与所述P型轻掺杂吸收区自上至下依次垂向分布于所述P型轻掺杂漂移区的顶部，或者依次横向分布于所述P型轻掺杂漂移区的顶部。
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百度查询： NANO科技(北京)有限公司 一种雪崩光电二极管阵列
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