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摘要：本发明提供了一种制备低电阻率衬底的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底、第一物质和第二物质，其中，第二物质中具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素；对第一物质进行超临界化处理，获得超临界态第一物质；第二物质溶解于超临界态第一物质内，获得超临界态混合物；将半导体衬底和超临界态混合物反应，得到低电阻率衬底。通过将具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素的第二物质溶解在超临界态的第一物质内，获得超临界态混合物，能够渗透到纳米结构中，然后用超临界态混合物和半导体反应，即可使得具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素能够注入到半导体衬底的材料内部，获得低电阻率衬底，修复半导体晶体内部缺陷，具有高效、低成本、质量好的优势。
主权项：1.一种制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底、第一物质和第二物质，其中，在常温下，所述第一物质为气态无机物、气态有机物或者液态有机物，所述第一物质具有超临界流体状态，所述第二物质中具有使所述半导体衬底降低电阻的掺杂元素；对所述第一物质进行超临界化处理，获得超临界态第一物质；所述第二物质溶解于所述超临界态第一物质内，获得超临界态混合物；将所述半导体衬底和所述超临界态混合物反应，得到低电阻率衬底；所述半导体衬底为氮化镓单晶衬底，所述第二物质中具有N、Si、Mg、O或Ge元素；或者，所述半导体衬底为碳化硅衬底，所述第一物质采用二氧化碳、四氟化碳、水、氮气、氨、惰性气体、烷烃或烯烃，所述第二物质中具有N、Al、P、B或Ga元素；或者，所述半导体衬底为硅衬底，所述第一物质采用二氧化碳、四氟化碳、水、氮气、氨、惰性气体、烷烃或烯烃，所述第二物质中具有Mg、Al、Zn、Ga、P、As或Se元素。
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