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摘要：本发明提出了一种获得边发射激光器芯片最优老化条件的方法及采用该条件筛选芯片的方法，用以解决通过点测试PI曲线的方法得到最大功率下的驱动电流与实际老化最大功率下驱动电流不相同的问题。包括以下步骤：芯片组Ⅰ测试不同老化温度Ⅰ下所对应的饱和电流Io；将驱动电流Ⅰ、老化温度Ⅱ和老化时间组合成老化条件矩阵，统计每组芯片的老化失效率；对完成老化的芯片组Ⅱ进行Htol测试，测试完成后统计Htol失效率；对比Htol失效率为0的芯片组Ⅱ的老化失效率，老化失效率最高的芯片组Ⅱ所对应的老化条件为芯片的最佳老化条件。本方案在饱和电流Io的选择上更加精准，电流范围上验证的更加全面，最终得到的老化条件更加具有适用性。

主权项：1.一种获得边发射激光器芯片最优老化条件的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将封装后的芯片分作芯片组Ⅰ和芯片组Ⅱ，将芯片组Ⅰ分别在不同老化温度Ⅰ下进行老化测试；（2）设置老化测试中的起始驱动电流、终止驱动电流和驱动电流步进，在每个驱动电流点进行测试，在测试过程中连续记录背光功率值，测试完成后，取每个驱动电流点最后一次记录的背光功率值Ⅰ，对芯片组Ⅰ内所有芯片在相同驱动电流点处的背光功率值Ⅰ取平均值，记为该驱动电流点下的背光功率值Ⅱ；（3）对比起始驱动电流至终止驱动电流内所测试驱动电流点下的背光功率值Ⅱ，背光功率值Ⅱ最大时所对应的驱动电流记作该芯片组Ⅰ在对应老化温度Ⅰ下的饱和电流Io，分别测试不同老化温度Ⅰ下所对应的饱和电流Io；（4）将驱动电流Ⅰ、老化温度Ⅱ和老化时间组合成老化条件矩阵，老化温度Ⅱ选自步骤（1）中所测试的老化温度Ⅰ；每个老化条件对应一个芯片组Ⅱ进行老化测试，老化测试完成后统计每组芯片的老化失效率；（5）对完成老化的芯片组Ⅱ进行Htol测试，测试完成后统计Htol失效率；对比Htol失效率为0时芯片组Ⅱ的老化失效率，老化失效率最高的芯片组Ⅱ所对应的老化条件为芯片的最佳老化条件；所述步骤（4）中的驱动电流Ⅰ为老化条件矩阵中所对应老化温度Ⅱ下的饱和电流Io的0.8-1.2倍；所述步骤（4）老化条件矩阵中的驱动电流Ⅰ由0.8、0.9、1.1和1.2倍的饱和电流Io中的任意两个2个或4个，和饱和电流Io组成；所述芯片组Ⅰ中的所有芯片类别相同且来自于同一片晶圆，芯片组Ⅰ包含至少64个芯片；所述芯片组Ⅱ中的芯片来自同类型的至少3片晶圆，每片晶圆至少取64个芯片。

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