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摘要：本发明涉及一种氮化镓功率器件结构及其制造方法，它包括衬底、成核层、第一GaN外沿层、插入层、第二GaN外沿层、AlGaN势垒层、栅极插入层、p型GaN栅极、保护层、散热层、源极金属、栅极金属与漏极金属，在AlGaN势垒层的上表面中部开设有势垒层凹陷，在栅极插入层的下表面设有栅极插入层凸起，栅极插入层凸起嵌入势垒层凹槽内并填满势垒层凹陷，在保护层的上表面开设有保护层凹陷，在散热层的下表面设有散热层凸起，散热层凸起嵌入保护层凹陷内并填满保护层凹陷。本发明有效地避免了电流崩塌效应，极大地增加了散热面积和通道，提升了器件的散热性能，因此器件的可靠性得到进一步提升。
主权项：1.一种氮化镓功率器件结构，包括自下而上依次设置有衬底（101）、成核层（102）、第一GaN外延层（103）、插入层（104）、第二GaN外延层（105）与AlGaN势垒层（106），其特征是：在AlGaN势垒层（106）的上表面中部开设有势垒层凹陷，在势垒层凹陷的正上方设有栅极插入层（107），在栅极插入层（107）的下表面设有栅极插入层凸起，栅极插入层凸起嵌入势垒层凹槽内并填满势垒层凹陷，在栅极插入层（107）的上表面设有P型GaN栅极（108），在AlGaN势垒层（106）与P型GaN栅极（108）的上表面设有保护层（109），在保护层（109）的上表面设有散热层（110），在保护层（109）的上表面开设有保护层凹陷，在散热层（110）的下表面设有散热层凸起，散热层凸起嵌入保护层凹陷内并填满保护层凹陷；在保护层（109）与散热层（110）上开设有深至AlGaN势垒层（106）上表面的源极金属窗口与漏极金属窗口，在源极金属窗口内设有与AlGaN势垒层（106）相连的源极金属（111），在漏极金属窗口内设有与AlGaN势垒层（106）相连的漏极金属（113），在保护层（109）与散热层（110）上还开设有深至P型GaN栅极（108）上表面的栅极金属窗口，在栅极金属窗口内设有与P型GaN栅极（108）相连的栅极金属（112）。
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