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摘要：本发明公开了一种低方阻ITO膜及其制备方法，低方阻ITO膜包括基材、上涂布层、下涂布层、打底层、SiO2混合层和ITO混合层。基材具有相对设置的第一表面和第二表面；上涂布层涂布在所述基材的第一表面；下涂布层涂布在所述基材的第二表面；打底层磁控溅射在所述上涂布层的表面；SiO2混合层磁控溅射在所述打底层的表面；ITO混合层磁控溅射在所述SiO2混合层的表面；其中，所述ITO混合层中的铟占比80wt％‑99wt％，锡占比1wt％‑20wt％。本发明的低方阻ITO膜可以改善不结晶问题从而降低了ITO膜的方阻、降低了低方阻ITO膜的色差并能够提高低方阻ITO膜的耐候性。
主权项：1.一种低方阻ITO膜，其特征在于，包括：基材，具有相对设置的第一表面和第二表面；上涂布层，涂布在所述基材的第一表面；下涂布层，涂布在所述基材的第二表面；打底层，磁控溅射在所述上涂布层的表面；SiO2混合层，磁控溅射在所述打底层的表面；和ITO混合层，磁控溅射在所述SiO2混合层的表面；其中，所述ITO混合层中的铟占比80wt％-99wt％，锡占比1wt％-20wt％。
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