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摘要：本发明公开了一种MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件，包括：P衬底和在P衬底上依次设置的第一P阱、第一N阱、第二P阱、第二N阱和第三N阱；第一P阱与第一N阱相邻，第一N阱与第二P阱相邻，第二P阱和第二N阱间隔第六隔离沟槽，第二N阱和第三N阱间隔第八隔离沟槽；第一P阱和第一N阱设有NPN型和PNP型BJT，第二P阱设有NMOS，第二N阱设有二极管D1，第三N阱设有二极管D2；PNP型和NPN型BJT以及二极管D1和D2构成DTSCR；NMOS对其电流泄放路径进行分流，并将电流注入NPN型BJT的基极以加速其发射结导通。本发明能够有效提高DTSCR的导通速度和降低DTSCR的过冲电压。
主权项：1.一种MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件，其特征在于，包括：P衬底和在所述P衬底上沿第一方向依次设置的第一P阱、第一N阱、第二P阱、第二N阱和第三N阱；所述第一方向平行于所述P衬底所在的平面；其中，所述第一P阱与所述第一N阱相邻，所述第一N阱与所述第二P阱相邻，所述第二P阱和所述第二N阱间隔第六隔离沟槽，所述第二N阱和所述第三N阱间隔第八隔离沟槽；在所述第一P阱和所述第一N阱上设有NPN型BJT和PNP型BJT，在所述第二P阱上设有NMOS晶体管，在所述第二N阱上设有二极管D1，在所述第三N阱上设有二极管D2；所述PNP型BJT、所述NPN型BJT、所述二极管D1和所述二极管D2构成DTSCR结构；所述NMOS晶体管用于对所述DTSCR结构的电流泄放路径进行分流，并将分流的电流注入所述NPN型BJT的基极以加速所述NPN型BJT的发射结导通。
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百度查询： 西安电子科技大学 一种MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件
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