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摘要：本发明公开了一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器，其包括P衬底，所述P衬底上依次设置有P阱、第一N阱、第二N阱和第三N阱，所述P阱与第一N阱相连，所述P阱、第一N阱、第二N阱和第三N阱上均设置有P+有源注入区和N+有源注入区，所述P阱与第一N阱之间还增设有第一有源注入区。本发明通过在P阱和第一N阱之间增设第一有源注入区，使得SCR部分的雪崩击穿电压降低，从而在CDM事件中的过冲电压到来时迅速开启，从而抑制瞬态电压过冲现象。
主权项：1.一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器，其特征在于，包括P衬底，所述P衬底上依次设置有P阱、第一N阱、第二N阱和第三N阱，所述P阱与第一N阱相连，所述P阱、第一N阱、第二N阱和第三N阱上均设置有P+有源注入区和N+有源注入区，所述P阱与第一N阱之间还增设有第一有源注入区；所述第一有源注入区为第一P+有源注入区或第一N+有源注入区；所述第一有源注入区增设在所述P阱和第一N阱之间的STI隔离区处。
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百度查询： 深圳震有科技股份有限公司 一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器
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