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摘要：本发明公开了一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层，P+衬底层上从左到右依次设有第一N阱、第二N阱、第二P阱和第一P阱，第二N阱与第二P阱相连；P+衬底层上相对于第一N阱的前侧设有第三N阱，相对于第一P阱的前侧设有第三P阱；第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱和第三P阱上分别对应的设有P+有源注入区、N+有源注入区和N型晕环层；N型晕环层上自底向上依次设有N型漏层、二氧化硅层和P+N+多晶硅层。本发明通过采用三极管与低电容二极管的组合结构，进一步降低了TVS的寄生电容，提高了ESD防护的响应速度和鲁棒性，可广泛应用于一些便携式设备和高速接口的静电防护上。

主权项：一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器，其特征在于：包括P+衬底层，所述的P+衬底层上从左到右依次设有第一N阱、第二N阱、第二P阱和第一P阱，所述的第二N阱与第二P阱相连；所述的P+衬底层上相对于第一N阱的前侧设有第三N阱，相对于第一P阱的前侧设有第三P阱；所述的第一N阱上左右分别设有第一P+有源注入区和第一N+有源注入区；所述的第一P阱上左右分别设有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第三N阱上左右分别设有第三P+有源注入区和第三N+有源注入区；所述的第三P阱上左右分别设有第四P+有源注入区和第四N+有源注入区；所述的第二N阱上从左到右依次设有第五N+有源注入区、第五P+有源注入区、第六N+有源注入区和N型晕环层；所述的第二P阱上从左到右依次设有N型晕环层、第六P+有源注入区、第七N+有源注入区和第七P+有源注入区；所述的N型晕环层上自底向上依次设有N型漏层、二氧化硅层和P+N+多晶硅层；所述的第六N+有源注入区与P+N+多晶硅层的P+极相连，所述的第六P+有源注入区与P+N+多晶硅层的N+极相连；所述的第一P+有源注入区与所述的第二N+有源注入区通过第一金属电极相连；所述的第三P+有源注入区与所述的第四N+有源注入区通过第二金属电极相连；所述的第一N+有源注入区、第三N+有源注入区、第五N+有源注入区和第五P+有源注入区与电源电极相连；所述的第二P+有源注入区、第四P+有源注入区、第七P+有源注入区和第七N+有源注入区与接地电极相连。

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百度查询： 浙江大学 一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器