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摘要：一种MOSFET与IGBT的并联电路及开关，涉及电力电子技术领域。该电路包括MOSFET、IGBT和驱动模块；所述IGBT的第一端连接所述MOSFET的第一端，所述IGBT的第二端连接MOSFET的第二端；所述IGBT的控制端用于获取驱动信号，在所述驱动信号的上升沿导通所述IGBT，在所述驱动信号的下降沿关断所述IGBT；所述驱动模块的输入端用于获取所述驱动信号，所述驱动模块的输出端用于连接所述MOSFET的控制端；所述驱动模块在所述驱动信号的下降沿触发第一设定时长的脉冲，以驱动MOSFET，以使MOSFET在所述第一设定时长内导通。
主权项：1.一种MOSFET与IGBT的并联电路，其特征在于，包括MOSFET、IGBT和驱动模块；所述IGBT的第一端连接所述MOSFET的第一端，所述IGBT的第二端连接MOSFET的第二端；所述IGBT的控制端用于获取驱动信号，在所述驱动信号的上升沿导通所述IGBT，在所述驱动信号的下降沿关断所述IGBT；所述驱动模块的输入端用于获取所述驱动信号，所述驱动模块的输出端用于连接所述MOSFET的控制端；所述驱动模块在所述驱动信号的下降沿触发第一设定时长的脉冲，以驱动MOSFET，以使MOSFET在所述第一设定时长内导通。
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