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摘要：本发明提出IGBT电气参数测量装置和方法，属于开关器件测量技术领域。根据电流采集单元、电压采集单元、温度采集单元和驱动电压产生单元的检测信号或输出信号，计算IGBT欠导通时的等效MOS漏极电流、等效放大倍数和等效电子迁移率，在上述IGBT的参数测量过程中充分考虑温度对IGBT参数的影响，能够更真实的反映出使用中的IGBT的工作状态和产品性能，并且本发明利用较少的变量进行IGBT参数测量，不需要依赖其他模拟或仿真平台，高效简捷。

主权项：1.IGBT电气参数测量方法，其特征在于，所述测量方法用于IGBT电气参数测量装置，所述IGBT电气参数测量装置包括第一电流采集单元、第一电压采集单元、第二电压采集单元、第一温度采集单元、驱动电压产生单元和IGBT参数计算单元，所述第一电流采集单元、第一电压采集单元、第二电压采集单元、第一温度采集单元和驱动电压产生单元均与IGBT参数计算单元相连，所述IGBT参数计算单元用于根据第一电流采集单元检测的电流IC、第一电压采集单元检测的电压VC、第二电压采集单元检测的电压VE、第一温度采集单元检测的温度T、驱动电压产生单元产生的IGBT的欠导通电压VG和IGBT的全导通电压阈值VTH，计算IGBT欠导通时的等效MOS漏极电流ID、IGBT的等效放大倍数β、IGBT的等效MOS源漏互导gm，并进一步基于IGBT欠导通时的等效MOS漏极电流ID，计算所述IGBT的等效电子迁移率μ0；测量方法具体包括如下步骤：S1：获取驱动电压产生单元产生的IGBT的欠导通电压VG和IGBT的全导通电压阈值VTH；获取第一温度采集单元检测的IGBT的温度T；在IGBT欠导通时获取第一电流采集单元检测的电流IC；获取第二电压采集单元检测的电压VE；S2：计算IGBT欠导通时的等效MOS漏极电流ID；具体为： ；其中KT表示第一中间变量，VGE表示IGBT欠导通时的门极-发射极电压，VTH表示IGBT的全导通电压阈值，n表示调节系数，T表示第一温度采集单元检测的IGBT的温度；S3：基于所述电流IC和等效MOS漏极电流ID计算IGBT的等效放大倍数β；S4：基于所述等效MOS漏极电流ID和欠导通电压VG计算IGBT的等效MOS源漏互导gm；S5：基于所述等效MOS漏极电流ID和等效MOS源漏互导gm计算IGBT的等效电子迁移率μ0。

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