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摘要：本发明提供一种高消光比非对称定向耦合器件，该装置包含：总线波导、模式解复用输出的分支波导、级联的可调微环谐振器以及热调电极。本发明建立在薄膜铌酸锂平台上，通过模式解复用单元将输入光与调制光高效分离，并通过优化输出波导参数及结合微环谐振器的滤波功能对非调制光进行滤波，从而显著提升声光调制器的消光比，解决现有技术中的声光调制效率不高导致消光比不足的问题。该发明具有结构灵活紧凑、低损耗、可片上集成及低成本优势，对诸如片上声光调制器等片上光学芯片的实用化具有重要意义。
主权项：1.一种高消光比定向耦合器，其特征在于，包括：硅基底层；覆盖于所述硅基底层之上的二氧化硅氧化层；以及沉积于所述二氧化硅氧化层之上的铌酸锂薄膜层，该铌酸锂薄膜层作为波导和声光相互作用层，通过刻蚀加工形成波导，包括模式解复用单元和微环滤波单元，所述模式解复用单元由一宽一窄两根波导构成，输入端口为具有高阶模式的宽铌酸锂波导，输出端口为窄铌酸锂波导，且铌酸锂波导的切向为X切向，光沿Y方向传播。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种高消光比定向耦合器及其薄膜铌酸锂声光调制器
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