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摘要：本发明公开了一种低电场下具有高储能密度的铌酸银基反铁电陶瓷及其制备方法，属于电介质储能陶瓷材料技术领域，采用固相反应法合成A位Bi3+Ca2+复合改性的铌酸银基反铁电陶瓷，其化学通式为Ag1‑5xBixCaxNbO3，0x0.02，配粉时额外添加5x2molAg2O和x2molBi2O3。本发明通过A位Bi3+Ca2+共掺杂对铌酸银反铁电陶瓷进行改性，将具有反铁电结构的M2a和M2b相稳定至室温，增强了饱和极化强度Dm和介电击穿强度，提高了正向反转电场EF和反向反转电场EB，并有效地减小了EF和EB之间的差值，使储能性获得了大幅提升，在205kVcm的低电场下，可以获得高达4.4Jcm3的有效能量密度和63％的储能效率。
主权项：1.一种低电场下具有高储能密度的铌酸银基反铁电陶瓷，其特征在于，其化学通式为Ag1-5xBixCaxNbO3，0x0.02。
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百度查询： 长沙理工大学 一种低电场下具有高储能密度的铌酸银基反铁电陶瓷及其制备方法
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