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摘要：本发明涉及一种紧凑型薄膜铌酸锂调制器芯片，属于光通信器件领域。本发明所述的薄膜铌酸锂调制器芯片包括波导光路和调制电极。波导光路包括端面耦合结构和干涉光路。干涉光路中的波导臂采用双重折叠式结构，转弯处弧形曲线波导两端分别连接S形曲线波导，缩小了折叠波导臂间的距离。调制电极包括行波电极、电光直流偏置电极和热光直流偏置电极，电光直流偏置电极通过并联的方式增加调制长度。本发明提供了一种紧凑的调制器波导光路，增加波导臂的长度的同时减小了芯片的尺寸，由此增加了调制电极的长度，提高了调制效率，降低了半波电压。

主权项：1.一种紧凑型薄膜铌酸锂调制器芯片，其特征在于：包括波导光路和调制电极；所述波导光路包括顺次连接的输入端面耦合器1、输入波导2、分束器3、波导臂、合束器6、输出波导7、输出端面耦合器8；所述波导臂由第一波导臂4和第二波导臂5并联而成；第一波导臂4包括顺次连接的第一直波导4-1、第一S形曲线波导4-2、第一弧形曲线波导4-3、第二S形曲线波导4-4、第二直波导4-5、第三S型曲线波导4-6、第二弧形曲线波导4-7、第四S形曲线波导4-8、第三直波导4-9、第五S形曲线波导4-10、第四直波导4-11、第六S形曲线波导4-12；第二波导臂5包括顺次连接的第五直波导5-1、第七S形曲线波导5-2、第三弧形曲线波导5-3、第八S形曲线波导5-4、第六直波导5-5、第九S型曲线波导5-6、第四弧形曲线波导5-7、第十S形曲线波导5-8、第七直波导5-9、第十一S形曲线波导5-10、第八直波导5-11、第十二S形曲线波导5-12；调制电极包括行波电极9、电光直流偏置电极11和热光直流偏置电极12；行波电极9的中心电极和地电极之间设有终端匹配电阻10，行波电极9的中心电极位于第一直波导4-1和第五直波导5-1之间；电光直流偏置电极11包括并联的两段电极，其中第一段的中心电极位于第三直波导4-5和第七直波导5-5之间，第二段的中心电极位于第三直波导4-9和第七直波导5-9之间，第一段靠近第三S型曲线波导4-6一侧的地电极与第二段靠近第四S形曲线波导4-8一侧的地电极相连，第一段另一侧的地电极与第二段另一侧地电极相连；热光直流偏置电极12位于第四直波导4-11或第八直波导5-11的外侧。

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