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摘要：本发明公开了一种具有全包式DBR结构的微型发光二极管的制备方法，包括如下步骤：制备本体；所述本体的顶部覆盖顶部膜层，所述本体的侧部覆盖侧部膜层；其中，所述侧部膜层覆盖所述顶部膜层的侧面和或所述顶部膜层覆盖所述侧部膜层的顶面；所述顶部膜层和侧部膜层均由第一介质薄膜层和第二介质薄膜层交替沉积得到；制备所述顶部膜层和侧部膜层：确定第一介质薄膜层和第二介质薄膜层的材质、初始单层厚度以及顶部膜层和侧部膜层的初始层数；对初始单层厚度以及初始层数进行优化，并得到最优单层厚度以及层数；根据最优单层厚度以及层数在所述本体上进行镀膜，得到所述具有全包式DBR结构的微型发光二极管。
主权项：1.一种具有全包式DBR结构的微型发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备本体；所述本体的顶部覆盖有顶部膜层，所述本体的侧部覆盖有侧部膜层；其中，所述侧部膜层覆盖所述顶部膜层的侧面和或所述顶部膜层覆盖所述侧部膜层的顶面；所述顶部膜层和侧部膜层均由第一介质薄膜层和第二介质薄膜层交替沉积得到；制备所述顶部膜层和侧部膜层：确定第一介质薄膜层和第二介质薄膜层的材质、初始单层厚度以及顶部膜层和侧部膜层的初始层数；对初始单层厚度以及初始层数进行优化，并得到最优单层厚度以及层数；根据最优单层厚度以及层数在所述本体上进行镀膜，得到所述具有全包式DBR结构的微型发光二极管。
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百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法
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