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摘要：本发明涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型GaN层；所述应力释放层包括依次层叠的Si掺杂多孔GaN层、低In组分的多孔InGaNGaN超晶格层、低Si掺杂GaN合并层、高In组分的多孔InGaNGaN超晶格层和Si掺杂GaN合并层。本发明提供的发光二极管外延片能够降低多量子阱发光层材料所受的应力和缺陷密度，显著提高多量子阱发光层的质量，提升多量子阱发光层中的辐射复合效率，从而提高LED器件的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型GaN层；所述应力释放层包括依次层叠的Si掺杂多孔GaN层、低In组分的多孔InGaNGaN超晶格层、低Si掺杂GaN合并层、高In组分的多孔InGaNGaN超晶格层和Si掺杂GaN合并层。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、LED
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