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摘要：一种半导体器件具有衬底和设置在衬底的表面上的电气部件。天线中介层被设置在衬底上。第一密封剂被沉积在天线中介层周围。第一密封剂具有高介电常数。天线中介层具有作为天线而操作的导电层和具有小于第一密封剂的高介电常数的低介电常数的绝缘层。天线中介层由具有多个天线中介层的天线衬底制成。凸块形成在天线衬底上，并且天线衬底被单体化以制作多个天线中介层。第二密封剂被沉积在电气部件上。第二密封剂具有小于第一密封剂的高介电常数的低介电常数。屏蔽层被设置在第二密封剂上。
主权项：1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上设置天线中介层；以及在所述天线中介层周围沉积第一密封剂，其中第一密封剂包括在14到21的范围中的高介电常数。
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百度查询： 星科金朋私人有限公司 半导体器件和形成具有带有高电介质密封的RF天线中介层的半导体封装的方法
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