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摘要：本发明属于忆阻器制备领域，具体公开了一种超薄硒化锑阻变层忆阻器及其制备方法。本发明制备的忆阻器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极；其中阻变层由Sb2Se3材料制备而成，阻变层的底部与所述底电极的顶部接触所述阻变层的顶部与所述顶电极的底部相接触。阻变层为超薄Sb2Se3层，超薄Sb2Se3层通过快速热蒸发法RTE来沉积，厚度为40～60nm，提高忆阻器的稳定性和均一性，同时降低功耗。
主权项：1.一种超薄硒化锑阻变层忆阻器，其特征在于：超薄硒化锑阻变层忆阻器包括衬底、阻变层和顶电极；其中衬底、阻变层和顶电极下而上设置；阻变层为Sb2Se3层，厚度为30～100nm。
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百度查询： 常州大学 一种超薄硒化锑阻变层忆阻器及其制备方法
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