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摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路，包括解码电路和忆阻器写入控制电路，解码电路的输入端接入脉冲幅度调制PAM电压信号，根据输入脉冲幅度调制PAM电压信号的阶数输出对应路数的NRZ信号，每一路NRZ信号对应连接一个忆阻器写入控制电路，忆阻器写入控制电路根据对应NRZ信号的高电平或低电平状态对忆阻器施加正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻或低阻态。本发明将多幅度脉冲信号解码后分别存储于忆阻器中，避免忆阻器由于多值存储产生的误差，大大提高了忆阻器的存储精度；通过MOS逻辑电路实现对忆阻器状态的写入，简化了电路结构，降低了系统能耗，适合于实现对PAM4以及更高阶数的PAM信号的存储。
主权项：1.一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路，其特征在于，包括解码电路和忆阻器写入控制电路，解码电路的输入端接入脉冲幅度调制PAM电压信号，根据输入脉冲幅度调制PAM电压信号的阶数从输出端输出对应路数的NRZ信号，每一路NRZ信号对应连接一个忆阻器写入控制电路，忆阻器写入控制电路根据对应NRZ信号的高电平或低电平状态对忆阻器施加正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻或低阻态；所述忆阻器写入控制电路由MOS逻辑电路实现，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；第一MOS管的源端与电源电压VDD相连；第一MOS管的栅端与第二MOS管的栅端连接在一起后截止解码电路的输出端之一；第一MOS管的漏端与第二MOS管的漏端、第三MOS管的栅端、第四MOS管的栅端共点，且与忆阻器的一端相连；第二MOS管的源端与地GND相连；第三MOS管的源端与电源电压VDD相连；第三MOS管的漏端与第四MOS管的漏端共点，且与忆阻器的另一端相连；第四MOS管的源端与地GND相连。
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百度查询： 湘潭大学 一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路
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