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摘要：本发明提供了一种高效率环保型P型氮化物半导体欧姆接触电极制备方法，该制备方法的步骤为：使用金刚石刀在洁净的P型氮化物半导体表面作有规律的横或纵向划痕，实现粗糙化处理；将常用的电烙铁加热至400‑500℃；用挤压器将铟球或铟锡合金球预压至划痕区；用加热至预设温度的电烙铁在铟球或铟锡合金球电极上做连续旋涂；最后让电极自然冷却至室温即可得到P型欧姆接触电极。本发明通过将P型氮化物半导体粗糙化处理，并在合适的温度下将铟球电极旋涂处理，从而实现透明低阻欧姆接触并提高电极的光透射率，为后续电学性能的测试提供了有效地保障。
主权项：1.一种高效率环保型P型氮化物半导体欧姆接触电极制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在P型氮化物半导体表面作有规律的横向或纵向划痕；将铟球或铟锡合金球预压至划痕区；用400-500℃的电烙铁在铟球或铟锡合金球电极上做连续旋涂；最后让电极自然冷却至室温即可得到P型欧姆接触电极。
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百度查询： 贺州学院 一种高效率环保型P型氮化物半导体欧姆接触电极制备方法
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