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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供一种存储器单元，包括：第一主动区，为写入端通道栅极晶体管提供多个第一纳米结构；第二主动区，为写入端上拉晶体管提供多个第二纳米结构；以及第三主动区，为读取端下拉晶体管提供多个第三纳米结构。第一主动区具有第一宽度，第二主动区具有第二宽度，并且第三主动区具有第三宽度。第三宽度大于第一宽度，并且第一宽度大于第二宽度。
主权项：1.一种存储器单元，其特征在于，包括：一第一主动区，该第一主动区为一写入端通道栅极晶体管提供多个第一纳米结构，该第一主动区具有一第一宽度；一第二主动区，该第二主动区为一写入端上拉晶体管提供多个第二纳米结构，该第二主动区具有一第二宽度；以及一第三主动区，该第三主动区为一读取端下拉晶体管提供多个第三纳米结构，该第三主动区具有一第三宽度，其中该第三宽度大于该第一宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及存储器单元
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