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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：分子内包含至少1个缩醛结构的化合物、或其聚合物；以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。
主权项：1.一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：分子内包含至少1个式1所示的部分结构的化合物、或其聚合物；以及溶剂， 在式1中，R1和R2各自为氢原子、或可以被取代的碳原子数1～10的烷基或可以被取代的碳原子数6～40的芳基，n1为0，n2为1或2，A1表示氢原子或羟基，A2表示-CHR0-A4基，R0表示氢原子、可以被1～3个羟基取代的苯基、或苯并间二氧杂环戊烯基，A3和A4各自表示相同或不同的1价有机基。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 具有缩醛结构的保护膜形成用组合物
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