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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本发明公开了一种形成保护膜的方法、保护膜及半导体工艺设备，所述形成保护膜的方法通过在工艺腔室的内壁沉积第一保护膜，以及在第一保护膜的表面上沉积第二保护膜，第二保护膜的材质与第一保护膜的材质不同，且第二保护膜的致密度大于第一保护膜的致密度，使得保护膜具有更强的耐等离子体轰击能力，从而在PECVD工艺加工过程中，能够有效降低保护膜在等离子体的轰击下产生颗粒的几率，进而降低了晶圆表面产生颗粒缺陷的风险；同时，第二保护膜的平滑度大于第一保护膜的平滑度，有效提高了工艺腔室的阻抗环境的均匀性，进而在PECVD工艺加工过程中，能够有效保证等离子体在工艺腔室内分布的均匀性，提高了晶圆内和晶圆间的均匀性。
主权项：1.一种形成保护膜的方法，其特征在于，包括：在工艺腔室的内壁沉积第一保护膜；在所述第一保护膜的表面上沉积第二保护膜；其中，所述第二保护膜的材质与所述第一保护膜的材质不同，且所述第二保护膜的致密度和平滑度大于所述第一保护膜的致密度和平滑度。
全文数据：
权利要求：
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