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申请/专利权人：黄剑鸣
摘要：本发明公开一种镀膜布制造方法，其包括如下步骤：步骤S1，提供若干缠绕有纱线的纱线卷；步骤S2，将纱线卷上的纱线呈等间距且并排的水平穿过第一镀膜装置的第一沉积腔，第一镀膜装置为PECVD镀膜装置，穿过第一镀膜装置的纱线在第一沉积腔内进行等离子体沉积镀膜形成一层镀膜层；步骤S3，将具有镀膜层的纱线输入织布机中进行经纬编织形成布胚；步骤S4：将布胚呈水平的穿过第二镀膜装置，第二镀膜装置对穿过其内的布胚进行正反面的同时等离子体沉积镀膜形成镀膜布；步骤S5，收卷镀膜布呈捆状。本发明通过对纱线镀膜，以及镀膜后的纱线编织形成的布胚再进行镀膜，进而形成镀膜布；使得镀膜布上的镀膜层附着能力强且均匀性和一致性好。
主权项：1.一种镀膜布制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供若干缠绕有纱线的纱线卷；步骤S2：将纱线卷上的纱线呈等间距且并排的水平穿过第一镀膜装置的第一沉积腔，所述第一镀膜装置为PECVD镀膜装置，穿过第一镀膜装置的纱线在所述第一沉积腔内进行等离子体沉积镀膜形成一层镀膜层；步骤S3：将具有镀膜层的纱线输入织布机中，所述织布机对输入的纱线进行经纬编织形成布胚；步骤S4：将所述布胚呈水平的穿过第二镀膜装置，所述第二镀膜装置对穿过其内的布胚进行正反面的同时等离子体沉积镀膜形成镀膜布；所述第二镀膜装置包括连接件及两产生等离子体的PECVD机构，两所述PECVD机构借由所述连接件的连接形成一体式结构，两所述PECVD机构呈上下对称的设置在所述连接件的两侧；所述连接件呈中空结构，所述中空结构形成第二沉积腔，两所述PECVD机构的电离辉光区与所述第二沉积腔连通，所述连接件正对所述第二沉积腔贯穿开设有供布胚穿过第二沉积腔的通口，所述布胚于所述第二沉积腔内进行正反面的同时等离子体沉积镀膜而形成所述镀膜布；步骤S5：收卷所述镀膜布呈捆状。
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