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申请/专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
摘要：本发明属于光电半导体材料技术领域，公开了一种大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料，含有尺寸为5nm~1500nm且均匀分布的蠕状结构的孔；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料在三维空间具有刚性的自支撑结构且无需模版支撑；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料兼具纳米单晶骨架以及无序连通的开孔结构；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料为多孔单晶氧化铁薄膜或多孔单晶氧化铁晶体；所述多孔单晶氧化铁薄膜的表面具有多孔单晶氧化铁的104晶面、214晶面或（110）晶面中的至少一面，所述多孔单晶氧化铁晶体的最大表面具有多孔单晶氧化铁的104晶面、214晶面或110晶面中的至少一面。本发明的材料能够进一步提升多孔单晶氧化铁作为半导体器件的性能。
主权项：1.一种大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料，其特征在于：含有尺寸为5nm~1500nm且均匀分布的蠕状结构的孔；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料在三维空间具有刚性的自支撑结构且无需模版支撑；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料兼具纳米单晶骨架以及无序连通的开孔结构；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料为多孔单晶氧化铁薄膜或多孔单晶氧化铁晶体；所述多孔单晶氧化铁薄膜的表面具有多孔单晶氧化铁的104晶面、214晶面或（110）晶面中的至少一面，所述多孔单晶氧化铁晶体的最大表面具有多孔单晶氧化铁的104晶面、214晶面或110晶面中的至少一面；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料通过将含铁源的化合物大尺寸无孔单晶体作为单晶衬底置于原料气氛中，在高温下进行分解及置换反应，在特定温度下通过断键除去非铁原子的同时，铁原子和氧原子成键并二次结晶进行延伸生长，得到多孔单晶氧化铁半导体材料；所述含铁源的化合物大尺寸无孔单晶体为碳酸亚铁单晶体或含铁硫族化合物单晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽都创新实验室 中国科学院福建物质结构研究所 一种大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料及应用
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