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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开涉及具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法。一种方法，包括：在衬底之上交替地堆叠第一半导体层和第二半导体层；将第一半导体层和第二半导体层图案化为鳍结构；跨鳍结构形成虚设栅极结构；在虚设栅极结构的侧壁之上沉积栅极间隔件；去除虚设栅极结构以形成凹部；去除第一半导体层；沉积围绕第二半导体层的界面层；在界面层之上并且在栅极间隔件的侧壁之上沉积高k电介质层；在高k电介质层之上沉积第一栅极电极；使第一栅极电极和高k电介质层凹陷以暴露栅极间隔件的侧壁的顶部部分；在经凹陷的高k电介质层之上沉积低k电介质层；以及在第一栅极电极之上沉积第二栅极电极。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上交替地堆叠第一半导体层和第二半导体层；将所述第一半导体层和所述第二半导体层图案化为鳍结构；跨所述鳍结构形成虚设栅极结构；在所述虚设栅极结构的侧壁之上沉积栅极间隔件；使所述第一半导体层的端部部分横向地凹陷；在所述第一半导体层的端部部分上形成内部间隔件；去除所述虚设栅极结构以形成凹部，所述凹部暴露所述栅极间隔件的侧壁；去除所述第一半导体层，从而在所述第二半导体层之间形成间隙；沉积围绕每个所述第二半导体层的界面层；在所述界面层之上并且在所述栅极间隔件的侧壁之上沉积高k电介质层；在所述高k电介质层之上沉积第一栅极电极；使所述第一栅极电极凹陷；使所述高k电介质层凹陷，以暴露所述栅极间隔件的侧壁的顶部部分；在经凹陷的高k电介质层之上并且在所述栅极间隔件的侧壁的经暴露的顶部部分之上沉积低k电介质层；以及在所述第一栅极电极之上沉积第二栅极电极。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法
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