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用于区域选择性形成薄膜的方法 

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申请/专利权人:EGTM有限公司

摘要:提供了一种根据本公开的示例性实施例的用于区域选择性形成薄膜的方法,包括:将包括生长区域和非生长区域的衬底供应到腔室中并使该衬底稳定的衬底准备步骤;将金属前体化合物供应到腔室中并使金属前体化合物吸附到衬底的前体供应步骤;吹扫腔室内部的吹扫步骤;以及将反应材料供应到腔室中以与金属前体化合物反应并形成薄膜的薄膜形成步骤,其中金属前体化合物是由以下化学式1表示的第5族金属前体化合物。[化学式1]

主权项:1.一种用于区域选择性形成薄膜的方法,包括:将包括生长区域和非生长区域的衬底供应到腔室中并使该衬底稳定的衬底准备步骤;将金属前体化合物供应到所述腔室中并使所述金属前体化合物吸附到所述衬底的前体供应步骤;吹扫所述腔室的内部的吹扫步骤;以及将反应材料供应到所述腔室中以与所述金属前体化合物反应并形成薄膜的薄膜形成步骤,其中所述金属前体化合物是由以下化学式1表示的第5族金属前体化合物:[化学式1] 在化学式1中,M是选自铌Nb、钽Ta和钒V的第5族金属元素中的任何一者,R1、R2和R3各自独立地选自具有1至6个碳原子的直链烷基和具有3至6个碳原子的支链烷基,并且X各自独立地为卤素原子。

全文数据:

权利要求:

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