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一种增加芯粒良率的双共振腔选择性出光DFB结构 

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申请/专利权人:南京镭芯光电有限公司

摘要:本实用新型公开了一种增加芯粒良率的双共振腔选择性出光DFB结构,涉及分布式反馈激光器领域,包括芯粒,芯粒由第一金属接面层、P‑InGaAs层、主动层、p‑InP层、第一n‑InP层、第二n‑InP层、第二金属接面层组成;芯粒内部设置有若干共振腔,共振腔的外侧设置有双埋入式异质结构平台。本实用新型为两个共振腔,让光子可分别在两个独立不同的共振腔内来回震荡,可提升芯粒良率,进而优于市场价格,提高产能,降低成本。

主权项:1.一种增加芯粒良率的双共振腔选择性出光DFB结构,包括芯粒1,其特征在于,所述芯粒1由第一金属接面层2、P-InGaAs层3、主动层4、p-InP层5、第一n-InP层6、第二n-InP层7及第二金属接面层8组成;所述第一金属接面层2的数量为至少两个,且所述第一金属接面层2的底端设置有所述P-InGaAs层3,所述P-InGaAs层3的底端设置有所述p-InP层5,所述p-InP层5的底端设置有所述第一n-InP层6,所述第一n-InP层6的中部设置有所述主动层4,若干所述第一n-InP层6的底端设置有所述第二n-InP层7,所述第二n-InP层7的底端设置有所述第二金属接面层8;所述芯粒1内部设置有若干共振腔9,所述共振腔9的外侧设置有双埋入式异质结构平台10。

全文数据:

权利要求:

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