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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构以及其形成方法，其中该半导体结构包含多个MTJMagnetictunneljunctions，磁性隧穿结元件，从一俯视图来看，多个MTJ元件排列成一阵列，至少一第二接触结构，位于MTJ元件所排成的阵列之中，至少一第一掩模层，覆盖于各MTJ元件的一顶面与两侧壁，其中从一剖面图来看，第一掩模层的一断面侧壁与第二接触结构下方的一第二金属层的一侧壁切齐。
主权项：1.一种半导体结构，包含:多个磁性隧穿结元件，从俯视图来看，该多个磁性隧穿结元件排列成阵列；至少一第二接触结构，位于该磁性隧穿结元件所排成的阵列之中；至少一第一掩模层，覆盖于各该磁性隧穿结元件的顶面与两侧壁，其中从剖面图来看，该第一掩模层的断面侧壁与该第二接触结构下方的第二金属层的侧壁切齐。
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百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体结构以及其形成方法
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