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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，该装置包括：衬底；源极区和漏极区，设置于衬底内；浅沟槽隔离区，设置于衬底内，并围绕源极区和漏极区；多个贯穿衬底导孔，贯穿衬底，其中贯穿衬底导孔邻近浅沟槽隔离区；以及化合物半导体结构，将浅沟槽隔离区和贯穿衬底导孔隔离。贯穿衬底导孔具有第一应力类型，且化合物半导体结构具有第二应力类型，第二应力类型不同于第一应力类型。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一衬底；一源极区和一漏极区，设置于该衬底内；一浅沟槽隔离区，设置于该衬底内，并围绕该源极区和该漏极区；多个贯穿衬底导孔，贯穿该衬底，其中该些贯穿衬底导孔邻近该浅沟槽隔离区，且该些贯穿衬底导孔具有一第一应力类型；以及一化合物半导体结构，将该浅沟槽隔离区和该些贯穿衬底导孔隔离，其中该化合物半导体结构具有一第二应力类型，该第二应力类型不同于该第一应力类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华邦电子股份有限公司 半导体装置及其形成方法
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