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申请/专利权人：中茵微电子(南京)有限公司
摘要：本发明公开一种soc内部电路的cdmesd风险分析方法、系统及其电子设备，涉及数据处理技术领域，包括：将版图数据输入drc工具和perc工具进行验证检查；基于内部测试结果数据分析，生成第一cdmesd验证结果数据集；基于快慢通路相关金属面积数据和gate周围的dio面积数据分析，生成第二cdmesd验证结果数据集；基于不同模式下的多组检查数据分析，生成第三cdmesd验证结果数据集；根据第一至第三cdmesd验证结果数据集，生成soc内部电路的cdmesd风险分析结果数据。本发明从多方位、多角度进行CDMESD风险分析，提高了风险分析的全面性和准确性，以及芯片的可靠性。
主权项：1.一种SoC内部电路的cdmesd风险分析方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、获取版图数据，将版图数据输入drc工具和perc工具进行验证检查；S2、基于内部测试结果数据分析，生成第一cdmesd验证结果数据集；S3、基于快慢通路相关金属面积数据和gate周围的dio面积数据分析，生成第二cdmesd验证结果数据集；S4、基于不同模式下的多组检查数据分析，生成第三cdmesd验证结果数据集；S5、根据第一cdmesd验证结果数据集、第二cdmesd验证结果数据集和第三cdmesd验证结果数据集，生成soc内部电路的cdmesd风险分析结果数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中茵微电子(南京)有限公司 一种soc内部电路的cdm esd风险分析方法、系统及其电子设备
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