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申请/专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
摘要：本发明属于电子元器件领域，公开了一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法，包括衬底和设置在衬底上表面的外延层，还包括体区、漏接触区、源接触区、衬底接触区、介质区、栅极多晶硅、漏极金属、源极金属和衬底极金属，其中，体区和漏接触区均位于外延层内部上方；源接触区和衬底接触区均位于体区内部上方；介质区位于外延层的上方；漏极金属、源极金属和衬底极金属均位于介质区的上方，且漏极金属穿过介质区延伸至漏接触区内，源极金属穿过介质区延伸至源接触区内，衬底极金属穿过介质区与衬底接触区上表面相接触；栅极多晶硅位于介质区的上方。本发明可以消除LDMOS的电流集中区，从而提高高压LDMOS及同类横向器件的抗ESD能力。
主权项：1.一种ESD加固的LDMOS器件，包括衬底（01）和设置在衬底（01）上表面的外延层（10），其特征在于，还包括体区（20）、漏接触区（30）、源接触区（31）、衬底接触区（32）、介质区（50）、栅极多晶硅（60）、漏极金属（40）、源极金属（41）和衬底极金属（42），其中，所述体区（20）和漏接触区（30）均位于外延层（10）内部上方；所述源接触区（31）和衬底接触区（32）均位于体区（20）内部上方；所述介质区（50）位于所述外延层（10）的上方；所述漏极金属（40）、源极金属（41）和衬底极金属（42）均位于所述介质区（50）的上方，且所述漏极金属（40）穿过介质区（50）延伸至漏接触区（30）内，所述源极金属（41）穿过介质区（50）延伸至源接触区（31）内，所述衬底极金属（42）穿过介质区（50）与衬底接触区（32）上表面相接触；所述栅极多晶硅（60）位于所述介质区（50）的上方，且所述栅极多晶硅（60）的覆盖区域位于源接触区（31）和漏接触区（30）之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏应能微电子股份有限公司 一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法
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