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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本实用新型提供一种纵向碳化硅器件，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层连接至所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层中部设有源区；第一栅极绝缘区，所述第一栅极绝缘区底部连接至漂移层，所述第一栅极绝缘区右侧连接至源区左侧；第二栅极绝缘区，所述第二栅极绝缘区底部连接至漂移层，所述第二栅极绝缘区左侧连接至所述源区右侧；第一栅极金属层，所述第一栅极金属层设于所述第一栅极绝缘区内；第二栅极金属层，所述第二栅极金属层设于所述第二栅极绝缘区内；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面；使得器件栅控能力强以及体二极管续流能力强。
主权项：1.一种纵向碳化硅器件，其特征在于：包括：一碳化硅衬底，一漂移层，所述漂移层连接至所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层中部设有源区；一第一栅极绝缘区，所述第一栅极绝缘区底部连接至漂移层，所述第一栅极绝缘区右侧连接至源区左侧；一第二栅极绝缘区，所述第二栅极绝缘区底部连接至漂移层，所述第二栅极绝缘区左侧连接至所述源区右侧；第一栅极金属层，所述第一栅极金属层设于所述第一栅极绝缘区内；第二栅极金属层，所述第二栅极金属层设于所述第二栅极绝缘区内；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种纵向碳化硅器件
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