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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种阻变随机存取存储器的结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成底部电极；在底部电极上形成阻变层；在所述阻变层上形成顶部电极；在所述顶部电极的顶部表面、顶部电极的侧壁表面和所述阻变层的侧壁表面形成第一保护层。所形成的阻变随机存取存储器性能得到提升。
主权项：1.一种阻变随机存取存储器单元的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成底部电极；在所述衬底上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层还位于所述底部电极的侧壁表面，而且所述刻蚀停止层表面低于或齐平于所述底部电极的顶部表面；在底部电极上和刻蚀停止层上形成阻变层；在所述阻变层上形成顶部电极；在所述顶部电极的顶部表面、顶部电极的侧壁表面和所述阻变层的侧壁表面形成第一保护层。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 阻变随机存取存储器的结构及其形成方法
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