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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本发明涉及存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串及操作性穿阵列通孔TAV的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的绝缘层次与导电层次的堆叠。所述堆叠包括TAV区域及操作性存储器单元串区域。在所述堆叠中在所述操作性存储器单元串区域中形成操作性沟道材料串，且在所述堆叠中在所述TAV区域中形成虚拟沟道材料串。在所述TAV区域中以绝缘体材料替代所述虚拟沟道材料串的至少大部分沟道材料，且在所述TAV区域中形成操作性TAV。本发明还揭示其它方法及独立于方法的结构。
主权项：1.一种用于形成包括存储器单元串及操作性穿阵列通孔TAV的存储器阵列的方法，所述方法包括：形成包括垂直交替的绝缘层次与导电层次的堆叠，所述堆叠包括TAV区域及操作性存储器单元串区域；在所述堆叠中在所述操作性存储器单元串区域中形成操作性沟道材料串，且在所述堆叠中在所述TAV区域中形成虚拟沟道材料串，其中所述操作性沟道材料串及所述虚拟沟道材料串经形成以具有相对于彼此相同的水平间距；在所述TAV区域中以绝缘体材料替代所述虚拟沟道材料串的至少大部分沟道材料；及在所述TAV区域中形成多个操作性TAV，其中所述替代进一步包括：掩蔽所述操作性存储器单元串区域中的所述操作性沟道材料串且使所述TAV区域中的所述虚拟沟道材料串保持未掩蔽；在掩蔽所述操作性存储器单元串区域中的所述操作性沟道材料串的同时，蚀刻所述TAV区域中的所述未经掩蔽虚拟沟道材料串的所述沟道材料；及在所述蚀刻之后，沉积所述绝缘体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法
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