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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请涉及存储器阵列的印迹恢复。在一些情况下，存储器单元可被压印，压印可以指其中单元倾向于存储一个逻辑状态而不是另一逻辑状态、不易被写入不同的逻辑状态或这两种情况均存在的状况。经压印存储器单元可以使用恢复或修复过程来恢复，此过程可以根据各种条件、检测或推断发起。在一些实例中，一种系统可配置成执行根据印迹的所表征严重性、操作模式、环境条件和其它因素进行调整或选择的印迹恢复操作。印迹管理技术能够提高存储器系统或其组件在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下能够操作的稳固性、准确性或效率。
主权项：1.一种操作存储器的方法，其包括：确定一组存储器单元被压印在相应第一逻辑状态中；至少部分地基于确定所述一组存储器单元被压印在所述相应第一逻辑状态中，限制对所述一组存储器单元的存取；在对所述一组存储器单元的存取被限制时在所述一组存储器单元上执行印迹恢复程序，所述印迹恢复程序旨在提高所述一组存储器单元在存储所述相应第一逻辑状态和存储相应第二逻辑状态之间切换的能力；以及在执行所述印迹恢复程序之后，准许存取所述一组存储器单元。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于存储器阵列的印迹恢复的方法及存储器系统
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