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申请/专利权人：格芯新加坡私人有限公司
摘要：本公开总体上涉及存储器器件以及形成存储器器件的方法。更具体地，本公开涉及电阻随机存取ReRAM存储器器件。本公开提供一种存储器器件，其包括：位于电介质结构中的开口，该开口具有侧壁；位于开口的侧壁上的第一电极；位于第一电极上的隔离物层；位于第一电极上且位于所述隔离物层的上表面上的电阻层；以及位于电阻层上的第二电极。
主权项：1.一种存储器器件，包括：位于电介质结构中的开口，所述开口具有侧壁；位于所述开口的所述侧壁上的第一电极，其中所述第一电极具有上表面和侧壁，所述侧壁具有上侧壁部分和下侧壁部分；位于所述第一电极的所述下侧壁部分上的隔离物层，其中所述隔离物层的上表面处于低于所述第一电极的所述上表面和所述上侧壁部分的层级处；位于所述第一电极上且位于所述隔离物层的所述上表面上的电阻层；以及位于所述电阻层上的第二电极。
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权利要求：
百度查询： 格芯新加坡私人有限公司 电阻随机存取存储器器件
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