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申请/专利权人：云南师范大学
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种在硅基底上制备栅线的方法，包括步骤：确定区域、表面处理、光刻和显影、金属沉积、去除光刻胶等步骤。其中，在确定区域步骤中，确定核心区域和非核心区域；在表面处理步骤中，处理硅基底的表面，使得核心区域的润湿性低、非核心区域的润湿性高。在甩胶时，核心区域的胶厚，非核心区域的胶薄。光刻等一些列操作后，在核心区域形成高分辨率的栅线，在非核心区域形成较低分辨率的栅线，满足了实际需求，但是减少了光刻胶的用量，节约了成本，在太阳电池技术领域具有良好的应用前景。
主权项：1.一种在硅基底上制备栅线的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、确定区域：包括在硅基底表面上确定核心区域和非核心区域；步骤2、表面处理：包括处理硅基底的表面，使得核心区域的润湿性低、非核心区域的润湿性高；步骤3、光刻和显影：包括在硅基底上甩胶，使用光刻机器和光刻掩膜对光刻胶进行曝光；曝光后，去除光刻胶；步骤4、金属沉积：包括在栅线区域沉积金属；步骤5、去除光刻胶：包括去除硅基底上的光刻胶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 云南师范大学 一种在硅基底上制备栅线的方法
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