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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种浮栅结构的制备方法、浮栅结构及闪存器件，具体涉及半导体技术领域。所述制备方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有至少两个隔离结构，相邻的两个所述隔离结构之间形成有上窄下宽的梯形沟槽；在所述梯形沟槽的底部形成隧穿氧化层；在所述梯形沟槽的侧壁上形成多晶硅垫层；氧化所述多晶硅垫层，以在所述梯形沟槽的侧壁上形成氧化垫层；去除部分所述氧化垫层，以修正所述隧穿氧化层的暴露尺寸；在所述氧化垫层与所述隧穿氧化层之间的沟槽内填充多晶硅，形成浮栅。该方法可以有效改善浮栅填充过程中的空洞问题，还可以通过调整氧化垫层的尺寸修正浮栅的特征尺寸，从而优化器件的性能。
主权项：1.一种浮栅结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有至少两个隔离结构，相邻的两个所述隔离结构之间形成有上窄下宽的梯形沟槽；在所述梯形沟槽的底部形成隧穿氧化层；在所述梯形沟槽的侧壁上形成多晶硅垫层；氧化所述多晶硅垫层，以在所述梯形沟槽的侧壁上形成氧化垫层；去除部分所述氧化垫层，以修正所述隧穿氧化层的暴露尺寸；在所述氧化垫层与所述隧穿氧化层之间的沟槽内填充多晶硅，形成浮栅。
全文数据：
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百度查询： 杭州积海半导体有限公司 浮栅结构的制备方法、浮栅结构及闪存器件
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