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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本发明提供一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法,该方法包括：提供衬底，衬底定义有元胞区和连接区，在衬底中形成有栅极沟槽，栅极沟槽包括位于元胞区的第一沟槽和位于连接区中的第二沟槽；在栅极沟槽中依次形成屏蔽介质层和屏蔽栅，屏蔽介质层覆盖栅极沟槽的底部和至少部分侧壁；去除位于屏蔽栅上方的至少部分厚度的屏蔽介质层，以在屏蔽栅上方形成第三沟槽；至少在连接区中的第三沟槽内形成第一栅间介质层，第一栅间介质层包括衬垫层和绝缘隔离层，衬垫层覆盖第三沟槽的底部和至少部分侧壁；在所述连接区形成贯穿所述绝缘隔离层的顶部并延伸至所述第二屏蔽栅的导电接触孔。
主权项：1.一种屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底定义有元胞区和连接区，在所述衬底中形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽包括位于所述元胞区的第一沟槽和位于所述连接区中的第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽连通；在所述栅极沟槽中依次形成屏蔽介质层和屏蔽栅，所述屏蔽介质层覆盖所述栅极沟槽的底部和至少部分侧壁，以及所述屏蔽栅位于所述第一沟槽中的部分构成第一屏蔽栅，所述屏蔽栅位于所述第二沟槽中的部分构成第二屏蔽栅，所述第一屏蔽栅和所述第二屏蔽栅的顶面均低于所述衬底的顶面；去除位于所述屏蔽栅上方的至少部分厚度的所述屏蔽介质层，以在所述屏蔽栅上方形成第三沟槽；至少在所述连接区中的所述第三沟槽内形成第一栅间介质层，第一栅间介质层包括衬垫层和绝缘隔离层，所述衬垫层覆盖所述第三沟槽的底部和至少部分侧壁，所述绝缘隔离层覆盖所述衬垫层并填充所述第三沟槽；在所述连接区形成贯穿所述绝缘隔离层的顶部并延伸至所述第二屏蔽栅的导电接触孔。
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