龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司
摘要：本发明揭示了一种倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在钝化层结构上刻蚀形成凹槽，所述钝化层结构至少包括第一钝化层；在凹槽中生长第三钝化层；在钝化层结构及部分第三钝化层表面形成掩膜；通过腐蚀液对第三钝化层进行湿法腐蚀，形成具有倾斜面的第三钝化层，腐蚀液对第三钝化层的腐蚀速率大于腐蚀液对第一介质层的腐蚀速率；去除掩膜；在第三钝化层的倾斜面上形成金属场板。本发明基于湿法腐蚀的各向同性及腐蚀液对不同钝化层腐蚀存在选择比的特性，有针对性地腐蚀掩膜下方的第三钝化层，第一钝化层充当腐蚀停止层，阻止腐蚀作用的进一步扩散，从而形成具有一定角度的倾斜面，最终在倾斜面上形成金属场板。
主权项：1.一种倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在钝化层结构上刻蚀形成凹槽，所述钝化层结构至少包括第一钝化层；在凹槽中生长第三钝化层；在钝化层结构及部分第三钝化层表面形成掩膜；通过腐蚀液对第三钝化层进行湿法腐蚀，形成具有倾斜面的第三钝化层，腐蚀液对第三钝化层的腐蚀速率大于腐蚀液对第一钝化层的腐蚀速率；去除掩膜；在第三钝化层的倾斜面上形成金属场板；所述第三钝化层为氧化硅层，所述掩膜为双层掩膜，所述双层掩膜包括形成于钝化层结构及部分第三钝化层表面的第二掩膜及形成于第二掩膜表面的第一掩膜，第一掩膜为光刻胶、氮化硅或金属掩膜，第二掩膜为金属掩膜，所述第二掩膜上施加有阴极偏压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州英嘉通半导体有限公司 倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号