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申请/专利权人：红与蓝半导体(佛山)有限公司
摘要：本发明提供一种高散热柔性GaNHEMT器件制备方法，包括：在第一衬底上侧形成氮化镓层与势垒层；在衬底上形成若干条绝缘垂直导热柱，导热柱穿透所述氮化镓层与所述势垒层；在势垒层上侧形成氧化铝层，基于所述氧化铝层形成漏极、源极与栅极，形成第一导热层；在第一导热层上形成第一封装层，得到初步HEMT器件；将所述初步HEMT器件转移至第二衬底上；在氮化镓层下侧依次形成绝缘层、第二导热层与柔性衬底层；所述第一导热层、第二导热层与所述绝缘垂直导热柱均相连组成散热系统。本发明还包括对应上述制备方法的高散热柔性GaNHEMT器件。本发明的方案能够实现GaNHEMT器件的全方位散热，提升了器件的工作效率与稳定性。
主权项：1.一种高散热柔性GaNHEMT器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供第一衬底，依次在所述第一衬底上侧形成氮化镓层与势垒层；步骤S2、在所述衬底上形成若干条绝缘垂直导热柱，所述绝缘垂直导热柱穿透所述氮化镓层与所述势垒层；步骤S3、在所述势垒层上侧形成氧化铝层，基于所述氧化铝层形成漏极、源极与栅极；步骤S4、在所述漏极、源极与栅极周围形成第一导热层，所述第一导热层与所述导热柱相连接；步骤S5、在所述第一导热层上形成第一封装层，得到初步HEMT器件；步骤S6、提供第二衬底，将所述初步HEMT器件从所述第一衬底上剥离，并转移至第二衬底上，所述第二衬底设置于所述漏极、源极与栅极上侧；步骤S7、在氮化镓层下侧依次形成绝缘层、第二导热层与柔性衬底层，第二导热层与导热柱相连接；其中，所述第一导热层、第二导热层与所述绝缘垂直导热柱组成散热系统，共同实现柔性GaNHEMT器件全面散热。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 红与蓝半导体(佛山)有限公司 一种高散热柔性GaN HEMT器件制备方法及高散热柔性GaN HEMT器件
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