龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种具有门型栅结构的抗单粒子GaNHEMT器件，属于微电子技术领域。该器件自下而上包括缓冲层、势垒层、钝化层、源极、栅极和漏极，还包括一个门型栅结构，其中门型栅结构位于栅极下方，势垒层上方，由P‑GaN层和n掺杂AlGaN层组成。本发明通过在P‑GaN层内嵌入n掺杂AlGaN层，引入补偿电子与单粒子入射后在栅极和源极下方聚集的大量空穴进行充分复合，从而有效抑制电子由源极注入到沟道，提高了器件的单粒子烧毁电压。
主权项：1.一种具有门型栅结构的抗单粒子GaNHEMT器件，自下而上包括缓冲层101、势垒层102和钝化层103，源极104和漏极106分别位于势垒层102上方两端，在源极104右侧的势垒层102上方设有P-GaN层107，栅极105位于P-GaN层107上方；其特征在于，在P-GaN层107中内嵌n掺杂AlGaN层108，使P-GaN层107呈门型结构；所述n掺杂AlGaN层108位于势垒层102上方，其余三面被P-GaN层107完全包围；所述n掺杂AlGaN层108位于P-GaN层107底部中间位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 一种具有门型栅结构的抗单粒子GaN HEMT器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号