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申请/专利权人：常熟理工学院;常熟市第五人民医院
摘要：本发明公开了一种高性能AlGaOGaO异质结MIS‑HEMT热电器件的制备方法，采用δ掺杂技术提高AlGaOGaO异质界面处二维电子气浓度，形成δ层和界面二维电子气双导电沟道，利用栅极势垒对δ掺杂层和界面二维电子气的能量过滤效应，提高塞贝克系数，实现塞贝克系数与电导率的去耦合。本发明通过对δ掺杂浓度、掺杂位置和栅极长度等器件结构优化，首次公开了一种高性能热电器件的制备方法，制备得到的器件稳定，该器件在集成电路芯片能量收集和温度传感方面有重要应用。
主权项：1.一种AlGaOGaO异质结MIS-HEMT高性能热电器件的制备方法，包括如下步骤：a.在Fe掺杂的半绝缘衬底上依次生长非故意掺杂Ga2O3沟道层，厚度为d的β-AlxGa1-x2O3隔离层,其中x为β-AlxGa1-x2O3隔离层Al组分摩尔含量，x范围为0-0.3；b.接着在β-AlxGa1-x2O3隔离层上依次生长Si-δ掺杂β-AlxGa1-x2O3层和β-AlxGa1-x2O3势垒层；c.在源漏电极区域刻蚀掉β-AlxGa1-x2O3和Ga2O3沟道层，重新生长掺杂浓度为1×1019-8×1019cm-3的重掺β-Ga2O3欧姆接触层，采用光刻胶套刻出源漏区域，利用电子束蒸发蒸镀TiAu，剥离光刻胶上金属层，剩下源漏区域电极，在氮气氛围下退火。d.生长Al2O3钝化层，套刻出栅极区域，用电子束蒸发蒸镀NiAu作为肖特基；e.在源漏两端施加温差，测量器件不同栅压下源漏两端开路电压和器件电导率。
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百度查询： 常熟理工学院 常熟市第五人民医院 一种AlGaO/GaO异质结MIS-HEMT高性能热电器件的制备方法
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